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STK15C88
SRAM写周期
参数
柏
参数
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
HZWE [7,8]
t
LZWE [7]
ALT
t
AVAV
t
WLWH ，
t
WLEH
t
ELWH ，
t
ELEH
t
DVWH ，
t
DVEH
t
WHDX ，
t
EHDX
t
AVWH ，
t
AVEH
t
AVWL ，
t
AVEL
t
WHAX ，
t
EHAX
t
WLQZ
t
WHQX
描述
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址设置为写操作结束
地址设置到开始写
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
25纳秒
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
45纳秒
民
45
30
30
15
0
30
0
0
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
m
s
15
t
HA
开关波形
图7. SRAM写周期1 ：我们控制
[8]
t
WC
地址
在加时赛
PR EC
OD OM
UC米
蒂奥恩
N个去
到D
苏FO
PP R N
或EW
到D
吴ES
OI IG
NG NS
PR 。
od
uc
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
SD
DATA IN
数据有效
t
HZWE
TIO
n
数据输出
以前的数据
高阻抗
图8. SRAM写周期2 ： CE受控
[8]
t
WC
地址
N
CE
t
SA
t
SCE
t
HA
WE
t
AW
t
PWE
t
SD
DATA IN
数据有效
数据输出
高阻抗
笔记
8.如果我们是低的时候CE变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
9. CE或我们必须比V更大
IH
在地址转换。
文件编号： 001-50593修订版* C
pr
t
HD
t
LZWE
t
HD
og
ra
on
l
y.
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