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STK16C68
8K ×8
AutoStorePlus
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
透明的数据保存在掉电
内部电容担保
自动存储
无论掉电压摆率
非易失性存储，而电池问题
可直接替代8K ×8静态RAM ，电池 -
支持RAM或EEPROM
为20ns ， 25ns的，为35ns ，并为45nS访问时间
商店
到EEPROM通过软件初始化或
AutoStorePlus
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在全部工业
温度范围
从冲无数据丢失
商业和工业温度
28引脚600密耳PDIP和350 mil SOIC封装形式
描述
该STK16C68是一个快速
SRAM
与非易失性
EEPROM
在每个静态存储器整合元件
细胞。该
SRAM
可以读取和写入无限
次数，而独立的非易失性数据
居住在
EEPROM
。从数据传输
SRAM
to
该
EEPROM
（该
商店
操作）可能发生
在自动关闭电源。内部电容
保证
商店
操作无论加电
向下压摆率。从转移
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作）会自动发生
在恢复供电。的开始
商店
和
召回
循环也可以通过输入CON-控制
在控制序列
SRAM
输入。该STK16C68是
引脚兼容， 8K ×8
SRAM
s和电池供电的
SRAM
S，可直接替换并增强
性能。该STK12C68 ，它使用一个外部
电容器，以及所述STK15C68 ，它使用电荷
存储在系统中的电容，对于系的替代品
TEMS需要
自动存储
操作。
框图
EEPROM阵列
128 x 512
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
动力
控制
国内
电容
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC *
*查看订购信息
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
12
引脚名称
A
0
- A
12
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
1999年7月
4-73
