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SUM90P10-19L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
180
40
150
I
D
- 漏电流（A ）
V
GS
= 10直通4V
I
D
- 漏极电流（ A）
30
120
90
20
25 °C
10
T
C
= 125 °C
0
0.0
- 55 °C
60
30
3V
0
0
1
2
3
4
1.0
2.0
3.0
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.030
V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
12000
0.020
- 电容（pF ）
15000
传输特性
C
国际空间站
9000
V
GS
= 10
0.010
6000
C
RSS
3000
C
OSS
0.000
0
20
40
60
80
100
120
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极 - 源极（ V）
导通电阻与漏电流
10.0
I
D
= - 90 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8.0
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
2.1
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
电容
6.0
V
DS
= 50 V
1.7
V
DS
= 80 V
4.0
1.3
2.0
0.9
0.0
0.0
40.0
80.0
120.0
160.0
200.0
240.0
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 73474
S- 71207 -REV 。 D， 18军07
导通电阻与结温
www.vishay.com
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