位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第123页 > SUP50N03-5M1P-GE3 > SUP50N03-5M1P-GE3 PDF资料 > SUP50N03-5M1P-GE3 PDF资料1第1页
SUP50N03-5m1P
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0051在V
GS
= 10 V
0.0063在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
50
d
50
d
Q
g
（典型值）。
21.7
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
TO-220AB
电源
- 次级同步整流
DC / DC转换器
D
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP50N03-5m1P - GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
50
d
50
d
100
40
80
59.5
b
2.7
- 55 150
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。包装有限。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
46
2.1
单位
° C / W
文档编号： 66570
S10-1050 -REV 。 A， 03月10
www.vishay.com
1
