位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第571页 > SUP60N02-4M5P-E3 > SUP60N02-4M5P-E3 PDF资料 > SUP60N02-4M5P-E3 PDF资料1第1页
SUP60N02-4m5P
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0045在V
GS
= 10 V
0.0065在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
60
60
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
100 % R
g
经过测试
100 ％ UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
的OR-ing
TO-220AB
D
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP60N02-4m5P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
d
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
± 20
60
a
60
a
120
50
125
120
c
3.75
- 55 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
d
结到外壳
注意事项：
一。包装有限。
B 。占空比
≤
1 %.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.25
单位
° C / W
文档编号： 69821
S- 80182 -REV 。 A， 04 -FEB -08
www.vishay.com
1
