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半导体
SYNERGY
1K ×4 ECL RAM
SY100474-3/4/5/7
SY101474-3/4/5/7
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10474-3/4/5/7
SY10/100/101474-7
特点
s
地址访问时间t
AA
： 3/4/ 5 / 7ns的最大值。
s
片选存取时间t
AC
： 2ns的最大值。
s
写入脉冲宽度，T
WW
：为3ns分钟。
s
边沿速率， TR / TF ：为500ps （典型值） 。
s
电源电流，I
EE
： -300mA ， -220mA
为-5 / 7ns的
s
对α粒子高级免疫力提供
几乎没有软错误敏感性
s
建有先进的资产技术
s
与行业标准的10K / 100K完全兼容
ECL I / O电平
s
噪声容限与片上电压提高，
温度补偿
s
发射极开路输出，方便扩展内存
s
2000V的ESD保护
s
采用24引脚扁平封装和28引脚PLCC和
MLCC封装
描述
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位随机
存取存储器（RAM ），旨在以先进的发射器
耦合逻辑（ECL ）电路。该设备被组织
为1024字×4位，并且满足标准10K / 100K
家族的信号电平。该SY100474还提供电压 -
与100K ECL兼容的SY101474工作，而
从10K ECL电源电压（ -5.2V ） 。芯片上的所有功能
为改善噪声电压和温度补偿
利润率。
该SY10 /一十万一千四百七十四分之一百采用了专有的电路设计
技术和协同专有的先进资产
双极技术实现极快的接入，写
脉冲宽度和写入的恢复时间。资产使用
专有技术的概念，实现显著
减小寄生电容，同时提高设备
堆积密度。 Synergy的电路设计技术，加上
与资产，导致不仅在超高速的性能，但
也让几乎没有软错误操作设备
灵敏度和音量出色器件的可靠性
生产。
框图
A
0
A
1
A
2
A
3
Y型解码器/驱动器
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X-译码器/
司机
存储单元阵列
CS
WE
SA / WA *
SA / WA
SA / WA
SA / WA
DI
0
DO
0
DI
1
DO
1
DI
2
DO
2
DI
3
DO
3
*
SA =检测放大器
WA =写入放大器
1999麦克雷尔，协同
冯：D
修订： / 1
1
发行日期： 1999年12月
