TAS5612LA
SLAS847 - 2012年5月
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电气特性（续）
PVDD_X = 32.5 V， GVDD_X = 12 V ， VDD = 12 V ，T
C
（外壳温度）= 75 ° C，F
S
= 384 kHz时，除非另有规定。
参数
OTE - OTW
迪FF erential
OTE
HYST
OLPC
I
OC
I
OC_LATCHED
I
十月
I
PD
(1)
(1)
测试条件
民
典型值
30
25
最大
单位
°C
°C
ms
A
A
ns
mA
OTE - OTW差
器件复位，需要清除
在OTE事件发生后FAULT
过负荷保护计数器
过电流限制保护
过电流限制保护，锁存
过电流响应时间
内部下拉电阻的输出
每个半桥
f
PWM
= 384千赫
电阻器 - 可编程的，标称峰值电流
1Ω负载， ROC = 24 kΩ的
电阻器 - 可编程的，标称峰值电流
1Ω负载， ROC = 62 kΩ的
从应用程序的简短状态为Hi -Z的时间
受影响的半桥
当连接复位有效提供
自举充电。不使用在SE模式。
2.6
15
15
150
3
静态数码产品规格
V
IH
V
IL
泄漏
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
INPUT_X中，M1 ，M2，M3 ，RESET
1.9
0.8
100
V
V
μA
OTW /关机（ FAULT ）
R
INT_PU
V
OH
V
OL
扇出
内部上拉电阻， OTW ， CLIP ，
过失DVDD
高电平输出电压
低电平输出电压
设备扇出OTW ，故障， CLIP
内部上拉电阻
I
O
= 4毫安
无需外部上拉
20
3
26
3.3
200
30
33
3.6
500
k
V
mV
器件
10
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