功能说明
TD352
4功能描述
4.1输入级
TD352 IN输入钳位在约5V电压为7V 。输入由信号边沿触发。当使用
集电极开路光耦，电阻上拉电阻可以连接到任何VREF和VH 。
推荐的上拉电阻值与VH = 16V是从4.7K的至22K 。
4.2基准电压源
电压参考用于创建为导通延迟与外部电阻精确的时序和
电容。相同的电路也可用于两电平的关断延迟。
一个去耦电容（ 10nF电容到100nF的）， VREF引脚必须保证良好的噪声抑制。
4.3有源米勒钳位：
在TD352提供了一种替代的解决方案，以密勒电流的问题在IGBT开关
应用程序。代替驱动IGBT的栅极为负电压，以增加安全余量，则
TD352采用了专用的CLAMP引脚来控制米勒电流。当IGBT关断时，低阻抗
路径是IGBT的栅极和发射极之间建立承载米勒电流和所述电压尖峰
IGBT栅极大大降低。
在关断期间，栅极电压被监视，并且当栅极电压变钳位输出被激活
低于2V （相对于VL ） 。钳位电压VL + 4V最大的米勒电流高达500mA 。夹子
被禁用时， IN输入再次被触发。
该钳位功能不影响的关断特性，但只保留其栅极连接到低电平
在整个关断时间。的主要优点是，可避免在许多情况下的负电压，从而使
自举技术的高边驱动器电源。
4.4导通延迟
开启（T
a
）延迟是可编程通过外部电阻R
d
和电容器C
d
精确的计时。牛逼
a
近似计算公式如下：
T
a
（微秒） = 0.7 * R
d
（欧姆） * C
d
（ NF）
导通延时可以通过连接CD引脚连接到VREF用4.7K电阻被禁用。
与ON时的输入信号小于T
a
将被忽略。
4.5去饱和保护
饱和保护，确保IGBT的过流的情况下保护。当DESAT
电压变为高于VH- 2V时， TD352 OUT引脚被拉低。故障状态加电后，唯一的出口
下和上电。
可编程消隐时间用来留出足够的时间进行IGBT的饱和度。消隐时间
由一个内部电流源和外部C提供
DES
电容器中，T
溴二苯醚
消隐时间值给出
方式：
T
溴二苯醚
= V
DES
* C
DES
/ I
DES
在VH = 16V ，T
溴二苯醚
近似计算公式如下：
T
溴二苯醚
（微秒） = 0.056 * C
DES
（PF ）
4.6输出级
输出级能灌/拉电流1.7A / 1.3A的典型，在25℃和1.0A / 0.75A分钟。在整个
温度范围。指定靠近IGBT通常的米勒平台这个电流能力。
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