CoreControl
TM
数据表
TDA21102
与引导高速驱动
双功率MOSFET
P-DSO-14-3
特点
快速的上升和下降时间频率高达2 MHz的
可以吸收超过400峰值电流最低的开关损耗的
根据PVCC收费高压侧和低压侧MOSFET's门5..12 V
设置。
通过PVCC引脚可调节高边和低边MOSFET的栅极驱动电压
优化通损耗和栅极驱动损耗
集成自举二极管以减少元件数量
通过自适应栅极驱动控制的交叉传导阻止
高电压等级阶段的节点上
通过三态输入支持关机了非常低的静态电流模式
兼容标准的PWM控制器IC （ Intersil公司， ADI公司）
浮动高边MOSFET驱动器
非常适合对主板和VRM's多相台式机CPU用品
TYPE
TDA21102
包
P-DSO-14-3
记号
21102
数
1
2
3
4
5
6
7
订购代码
Q67042-S4244
名字
PWM1
PWM2
GND
门
LS1
PVCC
保护地
门
LS2
PHASE2
门
HS2
BOOT2
描述
输入的PWM1信号控制器
输入的PWM2信号控制器
地
对于N沟道低侧栅极驱动输出
MOSFET 1 。
输入调整高侧栅极驱动器
电源接地回路的低侧驱动器
对于N沟道低侧栅极驱动输出
MOSFET 2 。
要连接到的高的结
侧和低侧MOSFET 2
对于N沟道高侧栅极驱动输出
MOSFET 2 。
浮动自举引脚。被连接到所述
外部自举电容，以产生
栅极驱动电压，高边n沟道
MOSFET 2 。
浮动自举引脚。被连接到所述
外部自举电容，以产生
栅极驱动电压，高边n沟道
MOSFET 1 。
对于N沟道高侧栅极驱动输出
MOSFET 1 。
要连接到的高的结
侧和低侧MOSFET 1
电源电压
引脚排列&说明
顶视图
PWM1
PWM2
GND
门
LS1
PVCC
保护地
门
LS2
VCC
PHASE1
GATGATE
HS1
BOOT1
8
9
10
11
BOOT1
BOOT2
门
HS2
PHASE2
12
13
14
门
HS1
PHASE1
VCC
修订版2.0
第1页
2004年8月31日
