TDSG3150 ， TDSG3160 ， TDSO3150 ， TDSO3160 ， TDSY3150 ， TDSY3160
标准的7段显示10毫米
威世半导体
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
TDSY3150 ， TDSY3160 ，黄色
参数
发光强度每段
（数字平均）
(1)
主波长
峰值波长
半强度角
每个段或DP正向电压
每段或DP反向电压
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 μA
TDSY3150,
TDSY3160
部分
TDSY3150
TDSY3150-K
TDSY3160
d
p
V
F
V
R
I
V
符号
分钟。
450
1800
450
581
-
-
-
6
典型值。
3000
-
3000
-
585
± 50
2.4
15
马克斯。
-
3600
-
594
-
-
3
-
nm
nm
度
V
V
μcd
单位
记
(1)
I
VMIN 。
我
V
基团是所有段（ a至g时， D1至D4）的平均值，段内的匹配因子是
0.5 ，不计小数点
和结肠。
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
TDSG3150 ， TDSG3160 ，绿色
参数
测试条件
部分
TDSG3150
TDSG3150-M
发光强度每段
（数字平均）
(1)
I
F
= 10毫安
TDSG3150-MN
TDSG3160
TDSG3160-M
主波长
峰值波长
半强度角
每个段或DP正向电压
每段或DP反向电压
(1)
符号
分钟。
450
4500
典型值。
6800
-
-
6800
-
-
565
± 50
2.4
15
马克斯。
-
9000
14 000
-
9000
575
-
-
3
-
单位
I
V
4500
450
4500
μcd
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 μA
TDSG3150,
TDSG3160
d
p
V
F
V
R
562
-
-
-
6
nm
nm
度
V
V
记
I
VMIN 。
我
V
基团是所有段（ a至g时， D1至D4）的平均值，段内的匹配因子是
0.5 ，不计小数点
和结肠。
发光强度分类
组
标准
E
F
G
H
I
K
L
M
N
光强度（ μcd ）
分钟。
180
280
450
700
1100
1800
2800
4500
7000
马克斯。
360
560
900
1400
2200
3600
5600
9000
14 000
颜色分类
组
1
2
3
4
5
6
7
橙红色
分钟。
598
600
602
604
606
608
马克斯。
601
603
605
607
609
611
黄
分钟。
581
583
585
587
589
591
马克斯。
584
586
588
590
592
594
562
564
566
568
570
570
565
567
569
571
573
575
绿色
分钟。
马克斯。
记
上述类型的数字表示的顺序组，包括
只有少数亮度组。只有一组出货量将在一
管（会有一个管没有混合两组） 。
为了确保可用性，单颗亮度集团将不
订购。
记
波长的光被在25毫秒和一个电流脉冲的持续时间测试
的±1纳米的准确度。
文档编号： 83125
修订版1.6 ， 23日， 11
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3
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