TFS757-764HG
PI-4530-041107
功能说明
该HiperTFS包含两个开关模式电源
控制器和相关的低侧MOSFET的随
高侧驱动器和高侧MOSFET 。
开关
频率
f
OSC
+
f
OSC
-
4毫秒
V
漏
时间
图5中。
开关频率抖动（理想化V
漏
波形）。
该HiperTFS双开关正激包括控制器沿
与低侧功率MOSFET ，高侧功率MOSFET和
高侧驱动器。该器件工作在电压模式（线性
占空比控制）以固定频率（恰好有一半operat-
待机控制器：频率） 。控制转换
电流输入（反馈引脚） ，在占空比在开放
漏极MOSFET主要漏极引脚降低占空比与
增加了源代码，从目前的反馈引脚。
该HiperTFS反激包括控制器和功率MOSFET
这是基于的TinySwitch -III该器件工作在
多级的开/关电流限制控制方式。漏极开路
MOSFET （ STANDBY漏极引脚）被打开的时候了源代码
由ENABLE引脚的电流低于阈值，并
切换被禁止时， ENABLE引脚电流高于
门槛。
除了基本的功能，如高压
初创时，逐周期电流限制，环路补偿
电路，自动重启动和热关机， HiperTFS主
控制器集成了许多附加功能，以减少
系统成本，提高电源的性能和设计
灵活性。
主变流器概况
主转换器的HiperTFS ，是一个双开关正
转换器（虽然HiperTFS可以与其他使用
双开关拓扑） 。这个拓扑结构包括一个低边和
高侧功率MOSFET ，它们都被切换的
同一时间。在HiperTFS的情况下，低侧MOSFET
是一个725 V的MOSFET （与衬底连接到
源极引脚） 。高边MOSFET是一个530 V MOSFET
（与连接到高侧漏的衬底（HD）的
针） 。由于两个低侧和高侧的这样的基片
MOSFET的是绑安静的电路节点（ 0 V和V
IN
分别） ，这意味着两个MOSFET具有电
安静的底物 - 良好的EMI。
低侧MOSFET具有非常低C
OSS
电容
因此可以硬开关，而不影响性能。应有
外部钳位配置中，它可以显着
软切换的高侧MOSFET ，在高负荷（因而
消除高边开关电容相当大的比例
损失） ，提高效率。较高的击穿电压
在低侧MOSFET允许变压器的复位电压到
超过输入电压，从而允许操作在占空比
周期大于50％ 。高占空比操作导致
较低的RMS电流的开关，也降低输出二极管
电压等级，这两者都有助于提高效率。
该HiperTFS还包含一个高边驱动器，以控制
高边MOSFET 。这个内部高边驱动器省去了
需要一种栅极驱动变压器，一个昂贵的部件
所需要的其它许多双开关正激电路。
主要的启动操作
一旦反激（待机）转换器启动并运行时，
主转换器可以由两个功能被启用。第一
条件是，旁路引脚远程的电流必须
超远程通阈值（I
BP （ ON）
） ，由外部提供的
遥控开/关电路。这个电流阈值具有迟滞
防止噪音的干扰。一旦旁路遥控器上
已经实现， HiperTFS还要求LINE-
SENSE引脚电流超过UV主上（I
L（ MA- UVON ）
），其
对应于约315 VDC输入电压时，
使用4兆瓦的线电压检测引脚电阻。一旦LINE- SENSE
销阈值已经达到了HiperTFS将进入一个12毫秒
预充压期间（t
D（ CH）
），以允许PFC升压级达到
调节前主施加负载到大容量电容器。
另外，在该预充电期间中的高边驱动器是
通过从低侧辅助的自举二极管充电
电压，充电时，主低边MOSFET导通
V
IN
385 V
t
待机
产量
t
主
产量
12毫秒
主
主
当前
12毫秒
32毫秒
t
115% I
LIM
100% I
LIM
t
远程开
t
PI-5619a-102710
图6 。
电源启动顺序由远端。
8
版本C 02/11
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