TFS757-764HG
条件
SOURCE = 0 V ;牛逼
J
= 0 ℃至100 ℃的
（除非另有规定编）
参数
符号
民
典型值
最大
单位
待机电路保护（续）
启用引脚电流
限制选择范围＃ 2
启用引脚电流
限制选择范围＃ 3
启用引脚电流
限制选择范围＃ 4
I
LIM(2)(DSB)
I
LIM(3)(DSB)
I
LIM(4)(DSB)
I
LIM(1)(DSB)
I
LIM(2)(DSB)
待机电流限制
I
LIM(3)(DSB)
I
LIM(4)(DSB)
Δ I
LIM
一般电路保护
电源COEF网络cient
初始电流限制
前沿
消隐时间（主）
前沿消隐
时间（待机）
电流限制
延迟（主）
电流限制
延迟（待机）
热关断
温度
热关断
迟滞
自动重启动导通时间
在f
OSC
待机
自动重启占空比
循环备用
电源电流
I
S1
漏极供电电流
注意事项：
A.
B.
C.
D.
I
S2
EN电流>我
DIS
（无MOSFET的开关）
EN打开（待机MOSFET
开关在f
OSC
)
400
600
750
950
1000
mA
1200
I
2
f
I
INIT
t
LEB （ D）
t
LEB （ DSB ）
t
ILD （ D）
t
ILD （ DSB ）
T
SD
T
SD （ HYST ）
t
AR
DC
AR
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
I
2
F =我
LIM(2)(DSB)(TYP)
× f
S（ SB ） （ OSC ） （ TYP ）
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
0.9 × I
2
f
0.75 ×
I
LIM （ MIN ）
170
170
215
215
150
150
118
55
64
2.2
ns
ns
ns
ns
°C
°C
ms
%
I
2
f
1.12 × I
2
f
A
2
Hz
启动
启动
启动
I
L
= 20
毫安，
的di / dt = 95毫安/ MS ，T
J
= 25 °C
I
L
= 20
毫安，
的di / dt = 125毫安/ MS ，T
J
= 25 °C
I
L
= 20
毫安，
的di / dt = 143毫安/ MS ，T
J
= 25 °C
I
L
= 20
毫安，
的di / dt = 105毫安/ MS ，T
J
= 25 °C
I
LIM
(I
L
= 100
毫安）
/ I
LIM
(I
L
= 20
毫安）
的di / dt = 125毫安/ MS
450
600
675
495
8.5-18
18-33
33-60
500
650
750
550
80
550
700
825
605
%
mA
mA
mA
mA
电流限制被提升为第34毫秒的主电源开关，并在此之后恢复到正常水平。
V
DDH （分流）
减去V
DDH （ UV_ON ）
等于250毫伏最小。
等级1 R
FB
=开放，等级2 R
FB
= 511千瓦，等级3 R
FB
= 232千瓦。
等级1 R
EN
=开放，等级2 R
EN
= 280千瓦，等级3 R
EN
= 137千瓦，等级4 R
EN
= 63.4千瓦。
28
版本C 02/11
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