订购数量： EN9017A

TIG111BF

三洋半导体

数据表

TIG111BF

特点

N沟道非穿通IGBT

大功率高速开关

应用

低饱和电压

超高速开关

Enhansment类型

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25 ℃，除非另有规定编

参数

集电极 - 发射极电压

门极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

允许功耗

结温

储存温度

符号

VCES

VGES

ICc*1

IC*2

ICP

PD

Tj

TSTG

由TJMAX限制

由TJMAX限制

@Tc=25°C*3

@Tc=100°C*3

条件

评级

600

±30

23

11

5

92

2

TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件） * 3

25

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

W

W

°C

°C

脉冲宽度有限的TJMAX

注意：

*1

显示芯片性能

*2

集电极电流从以下对公式计算

TJMAX - TC

集成电路（TC） =

RTH （J -C ） × VCE （ sat）的最大值（ TJMAX ， IC （ TC ） ）

*3

三洋的条件是从背面照射。

该方法是将硅脂到设备的背面和安装该装置的水冷散热器由铝制成。

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7509-005

10.0

3.2

3.5

7.2

4.5

2.8

产品&包装信息

包

： TO- 220FI （ LS ）

JEITA ， JEDEC

： SC - 67 ， SOT- 186A ， TO- 220F

最小包装数量： 100个/袋， 50支/杂志。

记号

电气连接

2

16.1

16.0

TIG111

LOT号

0.9

1.2

0.75

14.0

3.6

1.2

1

0.7

1 2 3

2.4

1 ：门

2 ：收藏家

3 ：发射器

三洋： TO- 220FI （ LS ）

0.6

3

2.55

2.55

http://semicon.sanyo.com/en/network

91411 TKIM TC- 00002644 / 61511QJ TKIM TC- 00002613 No.9017-1 / 5