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动态电气特性
(C
L
= 50pF的，T
a
= 25 ° C，V
EE
≦V
SS
除非另有规定编）
参数
传播延迟时间
开关输入到开关
输出（R
L
= 10 k)
抑制到输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
V
DD
–V
EE
测试条件
VDC
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.17纳秒/ PF ）C
L
+ 16.5ns
5
10
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.08纳秒/ PF ）C
L
+ 4.0ns
15
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.06纳秒/ PF ）C
L
+ 3.0ns
5
10
15
5
10
15
10
(R
L
= 10kΩ的，V
EE
=V
SS
)
输出“1”或“0”到高阻抗，
或高阻抗，以“1”或“0”电平
R
L
= 10 kΩ的，V
EE
= V
SS
民
典型值
25
8.0
6.0
275
140
110
300
120
80
0.07
CMOS IC
最大
65
20
15
550
280
220
600
240
160
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
%
t
PHZ ，
t
PLZ
t
PZH ，
t
PZL
t
PLH ，
t
PHL
THD
控制输入输出
总谐波失真
R
L
= 10KΩ ， F = 1 kHz时， VIN = 5 V
PP
R
L
= 1kΩ的，V
IN
= 1/2 (V
DD
–V
EE
) p–p,
带宽
BW
10
17
兆赫
C
L
= 50pF的， 20日志（ VOUT / VIN ） = -3dB ）
R
L
= 1KΩ ，V
IN
= 1/2 (V
DD
–V
EE
) p–p
关通道穿心
10
-50
dB
衰减
f
IN
= 55MHz的
R
L
= 1kΩ的，V
IN
= 1/2 (V
DD
–V
EE
) p–p
声道分离
10
-50
dB
f
IN
= 3MHz的
串扰，控制输入
R
1
= 1kΩ的，R
L
= 10kΩ的控制
10
75
mV
COMMON O / I
t
TLH
= t
THL
= 20ns的，抑制= V
SS
注1.数据“典型值”的目的是作为IC的潜在表现的指标。
2.对于电压降的开关（ ΔVsw ） >600mV （ >300mV在高温下） ，过度V
DD
当前
可以得出，即电流从开关可同时含有Ⅴ的
DD
并切换输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响，除非最大额定值超出。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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QW-R502-036.C
