位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第559页 > TLV70228DSER > TLV70228DSER PDF资料 > TLV70228DSER PDF资料4第11页
TLV702xx
www.ti.com
SLVSAG6B
–
2010年9月
–
经修订的2011年2月
输入输出电压差
该TLV702xx采用了PMOS导通晶体管来
实现低压差。时（V
IN
–
V
OUT
）小于
辍学电压（V
DO
）时， PMOS通设备
在操作和线性区
输入 - 输出电阻为R
DS （ ON）
在PMOS的
通过元素。 V
DO
与输出扩展约
当前由于PMOS器件表现为一个
电阻压降。
如同任何线性稳压器，PSRR和瞬态
反应被降解为（V
IN
–
V
OUT
）的方法
辍学。这种效果显示在
图15
在
典型特征
部分。
该TLV702xx的内部保护电路具有
旨在防止过载的情况。
它的目的不是为了取代适当的散热。
连续运行TLV702xx成热
关闭会降低设备的可靠性。
功耗
从模具中除去热量的能力是不同的
每
包
类型，
展示
不同
在印刷电路板的考虑（PCB）的
布局。在该装置周围的印刷电路板面积，是免费
其它组分的从设备移动的热
到环境空气中。
对于TLV702xx热性能数据
使用所收集的
TLV700评估模块
（EVM） ，
一个2层电路板用2盎司每边的铜。
尺寸和布局SOT23-5 （ DBV ）
EVM示于
图25
和
图26 。
相应的热性能数据中给出
表1中。
请注意，此板有规定
焊接不仅SOT23-5封装的
底部层，但也将SC -70封装在顶
层。尺寸和SON - 6的布局（ DSE ）
EVM示于
图27
和
图28 。
相应的热性能数据再次
在给定的
表1中。
使用较重的铜增加了
在从设备中取出热量的有效性。该
此外镀通孔的热的散热
层也提高了散热效率。
功耗取决于输入电压和负载
条件。功耗（P
D
）等于
的输出电流和电压降的产品
在输出导通元件，如图
式（2） 。
P
D
= (V
IN
-
V
OUT
)
I
OUT
(2)
瞬态响应
如同任何调节，增加的尺寸
输出电容降低过冲/下冲幅度
但增加了瞬态响应的持续时间。
欠压锁定（ UVLO ）
该TLV702xx采用了欠压锁定电路
保持关断输出，直到内部电路
正常操作。
热信息
热保护关闭输出时，
结点温度上升到大约+ 165℃ ，
使器件冷却。当结
温度冷却至大约+ 145 ℃，则
输出电路被重新启用。这取决于电源
耗散，耐热性，和周围
温度时，热保护电路的可能循环
打开和关闭。这个循环限制的耗散
调节器，保护它免受损害，其结果
过热。
任何趋势，以激活热保护电路
显示功耗过大或
散热器不足。对于运行可靠，结
温度应限制到+ 125 ℃的最大值。
为了估计安全边际在一个完整的设计
（包括
散热片）
增加
该
环境
温度，直到热保护被触发;
使用最坏情况下的负载和信号的条件。
包安装
对于焊盘占用的建议
TLV702xx可从德州仪器
网站www.ti.com 。推荐地
图案为DBV和DSE包示于
图29
和
图30中的
分别。
表1. EVM耗散额定值
包
的dBV
DSE
R
θJA
200°C/W
180°C/W
T
A
＆ LT ;
+25°C
500mW
555mW
T
A
= +70°C
275mW
305mW
T
A
= +85°C
200mW
222mW
2010-2011年，德州仪器
提交文档反馈
11
