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TLV707系列
www.ti.com
SBVS153B
–
2011年2月
–
经修订的2011年10月
输入输出电压差
该TLV707采用了PMOS导通晶体管来实现
低压差。时（V
IN
–
V
OUT
）小于
输入输出电压差（V
DO
）时，PMOS通路器件是在
操作与线性区域的输入 - 输出
电阻为R
DS （ ON）
在PMOS的传递元素。
V
DO
与输出电流约鳞
由于PMOS器件表现为在一个电阻器
辍学。
如同任何线性稳压器，PSRR和瞬态
反应被降解为（V
IN
–
V
OUT
）的方法
辍学。这种效果显示在
图14
在
典型特性部分。
为了估计安全边际在一个完整的设计
（包括
散热片）
增加
该
环境
温度，直到热保护被触发;
使用最坏情况下的负载和信号的条件。
对于可靠性好，热保护器应触发
至少+ 35 ° C以上的最大预期环境
特定应用的条件。这
配置产生最坏情况下的结
在最高温度为+ 125°C的预期
环境温度和最坏情况下的负载。
该TLV707的内部保护电路具有
旨在防止过载的情况。
它的目的不是为了取代适当的散热。
连续运行TLV707成热
关闭会降低设备的可靠性。
瞬态响应
如同任何调节，增加的尺寸
输出电容降低过冲/下冲幅度
但增加了瞬态响应的持续时间。
功耗
从模具中除去热量的能力是不同的
每
包
类型，
展示
不同
在印刷电路板的考虑（PCB）的
布局。在该装置周围的印刷电路板面积，是免费
其它组分的从设备移动的热
到环境空气中。
性能数据为JEDEC低收入和高K板
在给出
耗散额定值。
使用较重
铜增加了效益除热
从设备。加入镀通孔的
到散热层还可以提高散热器
有效性。
功耗取决于输入电压和负载
条件。功耗（P
D
）等于
的输出电流和电压降的产品
在输出导通元件，如图
式（2） 。
P
D
= (V
IN
-
V
OUT
)
I
OUT
(2)
欠压锁定（ UVLO ）
该TLV707采用了欠压锁定电路
保持关断输出，直到内部电路
正常操作。
热信息
热保护关闭输出时，
结点温度上升到大约+ 160℃，
使器件冷却。当结
温度冷却至大约+ 140 ℃，则
输出电路被重新启用。这取决于电源
耗散，耐热性，和周围
温度时，热保护电路的可能循环
打开和关闭。这个循环限制的耗散
调节器，保护它免受损害，其结果
过热。
任何趋势，以激活热保护电路
显示功耗过大或
散热器不足。对于运行可靠，结
温度应限制到+ 125 ℃的最大值。
包安装
为TLV707焊盘占用的建议
可从德州仪器网站
www.ti.com 。
推荐地格局，为
DQN （ DFN -4）的封装件朝向的端
此数据表。
版权
2011年，德州仪器
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