TLV700xx
SLVSA00C
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2009年9月
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修订后的2011年7月
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应用信息
该TLV700xx属于一个新的家庭
下一代值LDO稳压器。这些设备
消耗低静态电流，并提供优良的
线路和负载瞬态性能。这些
特点，结合低噪音，非常好
PSRR很少（V
IN
–
V
OUT
）的余量，使这
系列器件非常适用于RF便携式应用。
这家监管机构提供电流限制和
热保护器，并从指定的
–40°C
to
+125°C.
板布局建议，以改善
PSRR和噪声性能
输入和输出电容应尽可能
靠近器件引脚越好。为了提高交流
性能如PSRR ，输出噪声，并
瞬态响应，则建议的板
被设计成独立的地平面为V
IN
和
V
OUT
与接地平面连接仅在
GND引脚器件。此外，接地
对于输出电容器连接应
直接连接到设备的GND管脚。高
ESR电容会降低PSRR性能。
输入和输出电容的要求
1.0 μF X5R-和X7R型陶瓷电容
推荐使用，因为这些电容具有
在价值和等效串联变化最小
电阻（ESR）以上的温度。
然而， TLV700xx被设计为稳定跟
an
有效电容
0.1
μF
或在较大的
输出。因此，该装置是稳定的电容器
其它电介质的类型，以及，只要有效
根据经营偏置电压的电容和
温度大于0.1
μF.
这有效
电容指的是电容的LDO
根据工作偏置电压和温度看
条件;即，同时服用后的电容
偏置电压和温度降额到
考虑。除了允许使用
便宜的电介质，正在稳定具有这种能力
0.1μF的有效电容也能够使用
具有较高的降额更小的尺寸电容
在大小 - 和空间受限的应用。
注意，使用一个0.1μF的电容器在额定的输出
的LDO不能确保稳定性，因为
在规定的操作下有效电容
条件将小于0.1
μF.
最大ESR
应小于200毫欧。
虽然不要求输入电容器
稳定，这是很好的模拟设计实践进行连接
一个0.1 μF至1.0 μF ，横跨低ESR电容
引脚与GND的调节器。该电容
反应抵消输入源，并改善
瞬态响应，噪声抑制和纹波
排斥反应。较高的电容值的电容器可能是必要的
如果量大，速度快的上升时间负载瞬变预期，
或者，如果设备不位于靠近电源
源。如果源阻抗大于2
Ω,
a
0.1μF的输入电容可能是必要的，以确保
稳定。
内部限流
该TLV700xx内部电流限制有助于保护
在故障条件下的调节。在当前
电流的限制，输出电流源的固定量
这在很大程度上是独立的输出电压的。在
这样的情况下，输出电压不规范，并
为V
OUT
= I
极限
×
R
负载
。在PMOS导通晶体管
消散（V
IN
–
V
OUT
)
×
I
极限
直到热关断
被触发，并且所述设备关闭。作为设备
冷却下来，它是由内部的热开启
关断电路。如果故障状况仍然存在，该
电流限制和热之间循环装置
关机。见
热信息
节
更多的细节。
在TLV700xx的PMOS导通元件有
内置体二极管导通时的电流
电压超过输出电压时IN 。这
当前没有限制，因此，如果扩展的反向电压
操作是预期的，外部限制到5％的
建议使用额定输出电流。
关闭
使能引脚（ EN ）为高电平有效。该装置是
当电压EN引脚变为0.9V以上的启用。
电压的这种相对较低的值，以把所需
该LDO的可被利用了该LDO电源
近期处理器的GPIO逻辑1的GPIO
电压电平比传统的微控制器更低。
该设备被关闭时， EN引脚保持在
高于0.4V以内。当关断能力不
需要，EN可以连接到IN引脚。
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版权
2009-2011年，德州仪器
