电气特性
静态电气特性
表4.静态电气特性（续）
特征条件5.5 V下注意
≤
V
SUP
≤
27 V， - 40°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明。典型值注意
反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件，除非另有说明。
特征
模拟复用器输出（续）
内部参考电压
VDD输出&我之间流动比率
OUT
在MUX -OUT
(I
OUT
在MUX -OUT = I
DD
出/ I
DD_RATIO
)
- 在我
OUT
= 50毫安
- I
Out
25 mA至150毫安
安全输出
外管局低的水平，在I = 500
μA
安全漏电流（Ⅴ
DD
低或无动力设备） 。 V
安全
0至27 V.
打断
输出低电压，I
OUT
= 1.5毫安
上拉电阻
输出高电平，低功耗V
DD
ON模式（通过设计保证）
漏电流INT电压= 10V （允许在MCU INT高压
针）
灌电流，V
INT
> 5.0 V ， INT低电平状态
MISO ， MOSI ， SCLK ， CS引脚
输出低电压，I
OUT
= 1.5 MA（ MISO ）
输出高电压，I
OUT
= -0.25毫安（ MISO ）
输入低电压（ MOSI ， SCLK ， CS ）
输入高电压（ MOSI ， SCLK ， CS ）
三态泄漏电流（ MISO ）
上拉电流（ CS ）
CAN逻辑输入引脚（ TXD ）
高电平输入电压
低电平输入电压
上拉电流， TXD ，V
IN
= 0 V
可以将数据输出引脚（ RXD ）
低电平输出电压
I
RXD
= 5.0毫安
高电平输出电压
I
RXD
= -3.0毫安
高电平输出电流
V
RXD
= V
DD
- 0.4 V
低电平输入电流
V
RXD
= 0.4 V
IOUT
低
2.5
5.0
9.0
mA
IOUT
高
2.5
5.0
9.0
mA
VOUT
高
0.7× V
DD
-
V
DD
V
VOUT
低
0.0
-
0.3× V
DD
V
V
IH
V
IL
I
PDWN
0.7× V
DD
-0.3
-850
-
-
-650
V
DD
+ 0.3
0.3× V
DD
-200
V
V
A
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
I
HZ
I
PU
-
V
DD
-0.9
-
0.7× V
DD
-2.0
200
-
-
-
-
-
370
0.3× V
DD
-
2.0
500
1.0
V
V
V
V
μA
μA
V
OL
R
PU
V
OH- LPVDDON
符号
民
典型值
最大
单位
V
REF
I
DD_RATIO
2.425
2.5
2.575
V
80
62.5
97
97
115
117
V
OL
V
SAFE- IN
0.0
-
0.2
0.0
1.0
1.0
V
μA
-
6.5
3.9
-
2.5
0.2
10
4.3
35
6.0
1.0
14
V
k
Ω
V
V
最大
I
SINK
100
10
μA
mA
33904/5
18
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
