UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
30N06
30安培， 60伏
N沟道功率MOSFET
描述
与UTC 30N06是低电压的MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻和优良的雪崩
的特点。这种功率MOSFET通常用在汽车
电源供应器，高效率的直流到直流转换器应用
和电池供电产品。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 40MΩ @ V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的20 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型80 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力
*无铅电镀产品编号： 30N06L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
正常
无铅电镀
30N06-TA3-T
30N06L-TA3-T
TO-220
30N06-TF3-T
30N06L-TF3-T
TO-220F
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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2007 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-087.B
