30N06
绝对最大额定值
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
60
V
栅极至源极电压
±20
V
T
C
= 25℃
30
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100℃
21.3
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
120
A
单脉冲（注2 ）
E
AS
300
mJ
雪崩能量
8
mJ
重复（注1 ）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
7.5
V / ns的
TO-220
79
W
功耗
P
D
TO-220F
45
W/℃
结温
T
J
+150
℃
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-220F
TO-220
TO-220F
符号
θ
JA
θ
JC
等级
62
62
1.9
2.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅极 - 源极漏电流
反向
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0 V
最小典型最大单位
60
10
100
-100
0.06
2.0
32
800
300
80
12
79
50
52
20
6
9
4.0
40
V
A
nA
nA
V/℃
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250 μA ，参考25 ℃
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F =
1MHz
V
DD
= 30V ，我
D
= 15 A，V
GS
=10V
（注4,5）
V
DS
= 60V, V
GS
= 10 V，I
D
=
图24A （注4,5）
30
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2第8
QW-R502-087.B
