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30ETH06
日前,Vishay高功率产品
180
超快整流器,
30 A FRED铂
TM
90
80
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
允许外壳温度( ℃)
160
DC
70
60
t
rr
(纳秒)
140
50
40
30
20
V
R
= 200 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
120
方波( D = 0.50 )
为V
R
应用的
100
见注( 1 )
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
10
0
100
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
90
80
RMS限制
1200
1000
V
R
= 200 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
平均功耗( W)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
DC
0
100
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
800
Q
rr
( NC )
600
400
200
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
1000
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 93018
修订: 23军08

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