2SK3836
10
9
VGS - 的Qg
VDS=50V
ID=33A
漏极电流ID -
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=132A
ID=33A
10
1m
10
s
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
s
ms
1
DC
00m
op
s
ERA
TIO
n
0
s
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
Tc=25
°
C
单脉冲
2 3
5 7 1.0
2 3
0.1
0.1
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
总栅极电荷QG - 数控
3.5
IT08455
45
PD - TA
允许功耗， PD - 含
漏极至源极电压VDS - V
IT08456
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
3.0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT08460
外壳温度，TC -
°C
IT08461
注意使用情况：由于2SK3836是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
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特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
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半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
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或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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PS No.8638-4 / 4
