2SK3521-01L,S,SJ
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
20
18
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
20V
10V
8V
250
200
16
14
150
12
ID [ A]
7.5V
10
8
6
7.0V
PD [ W]
100
50
4
2
VGS=6.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
10
ID [ A]
1
GFS [S]
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
0.1
VGS电压[V]的
ID [ A]
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
2.0
1.8
1.6
1.4
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4A ， VGS = 10V
VGS=6.5V
2.0
7.0V
7.5V
RDS （上）
]
8V
1.5
10V
20V
RDS （上）
]
1.2
1.0
0.8
0.6
马克斯。
典型值。
1.0
0.5
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
