2SK3085
R
DS （ ON）
TC =
10
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
30
常见的来源
Tc
=
25 °C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
(A)
反向漏电流I
DR
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
8
10
5
3
6
4
ID
=
2.5 A
1
1
0.5
0.3
3
10
VGS
=
0,
1
V
2
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
3000
5
V
th
TC =
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
V
th
(V)
栅极阈值电压
1000
500
300
100
50
30
常见的来源
10
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25 °C
3
5
10
30
西塞
4
（PF ）
3
电容C
科斯
2
1
CRSS
50
100
0
80
40
0
40
80
120
160
3
1
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度
(°C)
P
D
TC =
100
漏极功耗P
D
(W)
80
60
40
20
0
0
40
80
120
160
200
壳温度
(°C)
4
2010-01-29
