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2SK2809-01MR
特点
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
雪崩型
FUJI功率MOSFET
200509
N沟道硅功率MOSFET
FAP -IIIB系列
外形图
TO-220F
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
通用功率放大器
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压峰值
最大雪崩能量
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D [ PULS ]
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
±50
±200
±20
453
50
+150
-55到+150
单位
备注
V
A
A
V
*1
mJ
W
°C
°C
* 1 L = 0.241mH ， VCC = 24V
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=60V
V
GS
=0V
V
GS
=20V V
DS
=0V
I
D
= 40A V
GS
=10V
I
D
=40A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 30V
G
=10
I
D
=75A
V
GS
=10V
L=100H
T
ch
=25°C
分钟。
60
1.0
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
GS
=4V
V
GS
=10V
25
典型值。
1.5
10
0.2
10
12
7.5
55
3500
1250
360
15
75
190
110
1.15
75
0.17
马克斯。
2.0
500
1.0
100
17
10
5250
1870
540
23
120
285
165
1.65
120
单位
V
V
A
mA
nA
m
m
S
pF
ns
A
V
ns
C
50
I
F
= 160A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=80A
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
热特性
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
分钟。
典型值。
马克斯。
2.50
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
