SMD型
MOS场效应
2SK1273
SOT-89
MOSFET
单位：mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
直接集成电路驱动器具有一个5V电源。
具有低导通电阻satate
R
DS （ ON）
=1.00
R
DS （ ON）
=0.65
MAX @ V
GS
=4.0V,I
D
=0.5A
MAX @ V
GS
=10V,I
D
=0.5A
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
不必考虑驱动电流，因为
它的高输入阻抗。
可以通过省略biasresistor减少部件的数量。
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
为10ms ，占空比
50%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
20
2.0
4.0
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=60V,V
GS
=0
V
GS
=
20V,V
DS
=0
1.0
0.4
0.31
0.24
220
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
105
16
15
I
D
=0.5A,V
GS （ ON）
=10V,R
L
=50
,V
DD
=25V,R
G
=10
35
380
120
1.00
0.65
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
1.7
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
s
V
GS （ OFF ）
V
DS
=10V,I
D
=1mA
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=10V,I
D
=0.5A
V
GS
=4.0V,I
D
=0.5A
V
GS
=10V,I
D
=0.5A
记号
记号
NA
www.kexin.com.cn
1
首页
上一页
1
下一页
尾页
共1页
