2SJ668
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS类型（ U- MOSIII ）
2SJ668
继电器驱动器， DC / DC转换器和电机驱动器
应用
4 V栅极驱动
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 0.12
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 5.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
60
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
0.95 MAX 。
0.6
±
0.15
单位：mm
5.2
±
0.2
1.7
±
0.2
6.8最大。
0.6 MAX 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
2.3 2.3
12.0 MIN 。
5.5
±
0.2
0.6 MAX 。
2.5最大。
3
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
5
20
20
40.5
5
2
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.2最大。
1
2
1.1
±
0.2
2
1
1.
2.
门
漏
（HEAT
汇）
3. SOURSE
3
脉冲（注1 ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7B1B
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
重量：0.58克（典型值）。
5.2
±
0.2
1.5
±
0.2
6.5
±
0.2
0.6 MAX 。
5.5
±
0.2
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” / “降额概念和
办法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告和
估计的故障率，等）。
9.5
±
0.3
1.1
±
0.2
0.6 MAX 。
0.8最大。
0.6
±
0.15
1
2
1.05最大。
3
2.3
±
0.2
热特性
2.3
±
0.15 2.3
±
0.15
0.1
±
0.1
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
C / W
C / W
2
门
漏
（HEAT
汇）
3. SOURSE
1.
2.
1
3
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
25
V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 2.2 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
5
A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J1B
重量0.35克（典型值）
1
2009-07-13
