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2SD882S
典型特征
静态特性
150
1.6
集电极电流IC （ A）
I
B
=9mA
I
B
=8mA
降额，我
C
(%)
1.2
I
B
=7mA
I
B
=6mA
I
B
=5mA
0.8
I
B
=4mA
I
B
=3mA
0.4
0
0
4
8
12
I
B
=2mA
I
B
=1mA
16
20
0
-50
100
NPN硅晶体管
安全工作区降额曲线
S/
b
LIM
ITE
d
n
io
at
ip
ss
Di
50
LIM
ITE
d
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压（ V）
电流增益带宽积
外壳温度，T
C
(°C)
安全工作区
10
3
目前GAIN-
带宽积，女
T
（兆赫）
10
1
1m
0.
10
mS
1m
S
S
10
2
V
CE
=5V
集电极电流，I
C
(A)
10
0
I
C
（最大） ，直流
I
B
=8mA
10
1
10
-1
I
C
（最大） ，脉冲
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
0
10
1
集电极 - 发射极电压
饱和电压
10
2
集电极电流IC （ A）
直流电流增益
10
4
10
3
V
BE （ SAT ）
饱和电压（MV ）
直流电流增益，H
FE
10
2
10
3
V
CE
=2V
10
2
V
CE （ SAT ）
10
1
10
1
10
0
10
0
10
1
10
3
10
4
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R208-007,E
