2SD2413
TRANSISOR （ NPN ）
特点
高集电极到基极电压V
CBO
高集电极到发射极电压V
首席执行官
大集电极耗散功率P
C
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
标记： 1S
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
400
400
5
100
500
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 0.5毫安，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=30mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 30V ，我
C
= 20mA时， F = 200MHz的
V
CB
= 30V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
40
7
30
1.5
1.5
V
V
兆赫
pF
条件
民
400
400
5
50
50
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
１
金隅
半导体
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