高电流增益中等功率晶体管（ 20V ， 0.5A ）
2SD2114K
■特点
1 ）高直流电流增益。
h
FE
= 1200 （典型值）。
2）高的发射极 - 基极电压。
V
EBO
= 12V （最小值）
3 ）低V
CE （SAT） 。
V
CE （SAT）
= 0.18V （典型值）。
(I
C
/ I
B
= 500毫安/ 20mA）的
Structure
外延平面型
NPN硅晶体管
尺寸
（单位：毫米）
2SD2114K
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
(3)
0.4
+0.1
0.05
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
00.1
所有的终端都有相同的尺寸
0.30.6
+0.1
0.15
0.06
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
缩写符号： BB
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
指H
FE
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
25
20
12
0.5
1
0.2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
°C
°C
单脉冲Pw = 100毫秒
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
输出导通电阻
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
罗恩
分钟。
25
20
12
820
典型值。
0.18
350
8.0
0.8
马克斯。
0.5
0.5
0.4
2700
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
Ω
I
C
=10μA
I
C
=1mA
I
E
=10μA
V
CB
=20V
V
EB
=10V
I
C
/I
B
=500mA/20mA
V
CE
=3V,
I
C
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
= -50mA ，
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
I
B
=1mA,
VI = 100mV的（ RMS）中，f = 1kHz时
条件
利用脉冲电流测量
www.rohm.com
c
○
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2012.01 - Rev.C
