INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD2066
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 25毫安;我
B
=0
160
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 8A ;我
B
=0.8A
2.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
=8A;V
CE
=5V
1.8
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 160V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 20mA下; V
CE
=5V
20
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
60
200
h
FE-3
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=5V
15
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
20
兆赫
C
OB
集电极输出电容
f=1MHz;V
CB
=10V
210
pF
h
FE-2
分类
Q
60-120
P
100-200
2
