INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
t
f
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
下降时间
条件
I
C
= 5毫安;我
E
=0
I
C
= 5毫安;
BE
=∞
I
E
= 5毫安;我
C
=0
I
C
= 4A ;我
B
=0.4A
I
C
= 4A ;我
B
=0.4A
V
CB
=40V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
V
CC
=50V;I
C
=5A;I
B1
=-I
B2
=500mA
30
25
10
0.2
民
200
60
6
0.5
2SD1958
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
0.1
0.1
160
V
V
mA
mA
兆赫
0.5
μs
2
