位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第0页 > 2SD1816L-X-TM3-T > 2SD1816L-X-TM3-T PDF资料 > 2SD1816L-X-TM3-T PDF资料1第3页
2SD1816
分类h及
FE1
秩
范围
R
100 - 200
S
140 - 280
NPN平面晶体管
T
200 - 400
Q
70 -140
测试电路
PW=20μS
占空比= 1 ％
输入
I
B1
R
B
I
B2
50
V
R
+
100
-5V
IC = 10 ，余
B1
= -10, I
B2
=2A
单位（电阻： Ω ，电容： F）
+
470
50V
产量
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R209-011,C
