INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
V
F
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
二极管的正向电压
条件
I
E
= 200毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
I
F
=2.5A
6
民
6
2SD1452
典型值。
最大
单位
V
5.0
1.5
0.5
V
V
mA
2.2
V
2
