2SD1222
V
BE （SAT）
– I
C
10
P
C
- TA
共发射极
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
P
C
(W)
IC / IB = 500
5
3
TC =
55°C
16
（ 1 ）锝= TA无限的散热器
(1)
（ 2）陶瓷基片
50 × 50 × 0.8 mm
（ 3 ）无散热片
集电极耗散功率
12
8
1
100
0.5
0.1
25
4
(2)
(3)
0.3
1
3
集电极电流I
C
(A)
0
0
40
80
120
160
200
240
环境温度Ta （C ）
安全工作区
10
集成电路最大值（脉冲） *
5
(A)
3
IC MAX（连续）
1毫秒*
集电极电流I
C
10毫秒*
1
直流操作
TC = 25°C
0.5
0.3
* ：单非重复脉冲
0.1
TC = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.05
0
3
10
30
100
VCEO
最大
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2010-02-05
