INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1194
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止offcurrent
发射极截止offcurrent
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安;我
E
=0
I
C
= 50毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1.5A ，我
B
=3mA
I
C
= 1.5A ，我
B
=3mA
V
CB
=80V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
1500
20
兆赫
民
110
100
0.9
1.5
2.0
0.1
3.0
典型值
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=1A
V
CC
=50V;R
L
=50
0.7
5.0
1.2
μs
μs
μs
2
