位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第687页 > 2SC5812WG-TR-E > 2SC5812WG-TR-E PDF资料 > 2SC5812WG-TR-E PDF资料2第5页
2SC5812
S
11
参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
.2
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
–10
–.2
–5
–4
–3
–.4
–2
–.6
–.8
–1
–1.5
–120°
–90°
–60°
180°
0°
150°
30°
1
1.5
2
120°
S
21
参数与频率的关系
90°
规模： 8 / DIV 。
60°
–150°
–30°
测试条件： V
CE
= 1 V，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 20 mA）的
测试条件： V
CE
= 1 V，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 20 mA）的
S
12
参数与频率的关系
90°
120°
S
22
参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
1
1.5
2
30°
.2
规模： 0.04 / DIV 。
60°
150°
4
5
10
180°
0°
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
–10
–.2
–150°
–30°
–.4
–2
–120°
–90°
–60°
–.6
–.8
–1
–1.5
–5
–4
–3
测试条件： V
CE
= 1 V，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 20 mA）的
测试条件： V
CE
= 1 V，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 20 mA）的
Rev.1.00 2005年8月10日第5页8
