INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC5895
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.25 A
0.5
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
=0
60
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 60V ;我
E
=0
100
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 60V ;我
B
=0
100
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
60
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
80
250
h
FE-3
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
30
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CB
=10V;f=10MHz
100
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
=1A;I
B1
=-I
B2
=0.1A
V
CC
=50V
0.2
t
英镑
贮存时间
0.7
μs
t
f
下降时间
0.15
μs
2
