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TMS320F2809 ， TMS320F2808 ， TMS320F2806
TMS320F2802 ， TMS320F2801 ， TMS320C2802
TMS320C2801 ， TMS320F28016 ， TMS320F28015
SPRS230M - 2003年10月 - 修订2011年3月
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6.12闪断时间
表6-43 。闪存耐久性A和S温度材料
(1)
擦除/编程
温度
N
f
N
OTP
(1)
闪存耐力的阵列（写入/擦除周期）
OTP耐力为阵列（写周期）
0 ° C至85°C （环境）
0 ° C至85°C （环境）
民
20000
典型值
50000
1
最大
单位
周期
写
写/擦除未指定所指示的温度范围之外的操作，并且可能影响耐久性的数字。
表6-44 。闪存耐久性的Q温度材料
(1)
擦除/编程
温度
N
f
N
OTP
(1)
闪存耐力的阵列（写入/擦除周期）
OTP耐力为阵列（写周期）
-40 ° C至125°C （环境）
-40 ° C至125°C （环境）
民
20000
典型值
50000
1
最大
单位
周期
写
写/擦除未指定所指示的温度范围之外的操作，并且可能影响耐久性的数字。
表6-45 。闪存参数在100MHz的SYSCLKOUT
参数
(1)
节目
时间
16位字
16K部门
8K部门
4K扇区
擦除时间
16K部门
8K部门
4K扇区
I
DD3VFLP
I
DDP
I
DDIOP
(1)
V
DD3VFL
期间的电流消耗
擦除/编程周期
V
DD
时消耗电流
擦除/编程周期
V
DDIO
时消耗电流
擦除/编程周期
抹去
节目
测试条件
民
典型值
50
500
250
125
2
2
2
75
35
140
20
最大
单位
μs
ms
ms
ms
s
s
s
mA
mA
mA
mA
因为在室温下包括函数调用的开销看出，所有的外设关闭的典型参数。
表6-46 。闪存/ OTP访问时序
参数
t
一（ FP ）
t
一（ FR ）
t
一（ OTP）的
分页闪存存取时间
随机闪存存取时间
OTP访问时间
民
36
36
60
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
方程计算的Flash页面等待状态和随机等待状态中
表6-47
如下：
闪存页等待状态
+
t
一（ FP ）
t
C（ SCO ）
t
一（ FR ）
t
C（ SCO ）
*
1
（四舍五入到下一个最高的整数）或0 ，以较大者为准
闪存随机等待状态
+
*
1 （四舍五入到下一个最高的整数）或1 ，以较大者为准
公式来计算OTP等待状态中
表6-47
如下所示：
OTP等待状态
+
t
一（ OTP）的
t
C（ SCO ）
*
1 （四舍五入到下一个最高的整数）或1 ，以较大者为准
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