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TMS320F2809 ， TMS320F2808 ， TMS320F2806
TMS320F2802 ， TMS320F2801 ， TMS320C2802
TMS320C2801 ， TMS320F28016 ， TMS320F28015
SPRS230M - 2003年10月 - 修订2011年3月
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7
7.1
迁移从在F280x器件以C280x器件
迁移问题
要考虑的迁移问题，同时从在F280x器件C280x器件的迁移作为
如下所示：
在1K OTP内存在F280x器件可以被替换为1K ROM C280x器件。
消耗电流的不同在F280x和C280x器件的所有四种可能的模式。见
相应的电气部分，确切的数字。
在V
DD3VFL
脚是在F280x器件的3.3V闪存内核电源引脚，而是一个V
DDIO
销C280x
设备。
在F280x和C280x器件的引脚兼容和代码兼容的;然而，它们在电气上
不同具有不同的EMI / ESD配置文件。前斜坡的生产与C280x器件，评估
的硬件设计，这两个设备的性能。
地址0x3D之间7BFC通过0x3D之间7BFF在OTP和解决的0x3F 7FF0至0x3F 7FF5
主要的ROM阵列中被保留用于ROM的一部分特定的信息，并且没有可用的用户
应用程序。
分页和随机等待状态规格的闪存及ROM部分是不同的。而
从Flash迁移到ROM的部件，相同的等待状态的值必须用于最佳性能
兼容性（例如，在使用软件应用程序的延迟回路或在精确的中断
延迟是至关重要的） 。
模拟输入开关电阻是相对于在F280x器件C280x器件小。而
从Flash迁移到一个ROM设备应小心设计的模拟输入电路中，以
满足由采样网络所要求的应用性能。
部分-ID寄存器值是为Flash和ROM部件不同。
从硅功能/勘误表的角度看， A版本的ROM器件等同于REV C闪存设备。
请参阅适用于280x器件的详细信息勘误表。
由于ROM代码生成过程的一部分，在客户应用程序中所有未使用的存储位置
自动填充为0xFFFF 。未使用的地址不应该手动填充任何其他
数据。
对于适用于280x器件勘误表，请参阅
TMS320F280x ， TMS320C280x ，和TMS320F2801x DSC
芯片勘误表
（文献编号
SPRZ171).
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迁移从在F280x器件以C280x器件
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