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SPRS516B - 2009年3月 - 修订2010年7月
6.15.7外部接口现成的，读时序一个外部等待状态
表6-40 。外部接口读取开关特性（就绪-上阅读，1个等待状态）
参数
t
D（ XCOH - XZCSL ）
t
D（ XCOHL - XZCSH ）
t
D（ XCOH - XA ）
t
D（ XCOHL - XRDL ）
t
D（ XCOHL - XRDH ）
t
小时（ XA） XZCSH
t
小时（ XA）的XRD
(1)
延迟时间， XCLKOUT高到防区芯片选择有效的低电平
延迟时间， XCLKOUT高/低到区域的芯片选择高不活跃
延迟时间， XCLKOUT高到地址有效
延迟时间， XCLKOUT高/低XRD低电平有效
延迟时间， XCLKOUT高/低XRD高不活跃
保持时间，地址有效后带芯片选择高不活跃
保持时间， XRD不活跃高后地址有效
–0.2
–0.4
(1)
(1)
民
0
–0.2
最大
2
0.9
1.5
0.8
0.8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
在非活动周期中， XINTF地址总线始终保持熄灭总线上的最后一个地址。这包括调整周期。
表6-41 。外部接口读时序要求（就绪-上阅读，1个等待状态）
民
t
a(A)
t
一个（ X射线衍射）
t
SU（ XD ） XRD
t
H（ XD ） XRD
(1)
访问时间，从地址有效读取数据
访问时间，读取数据有效的XRD低电平有效
建立时间， XRD频闪无活性高之前读取数据有效
保持时间后， XRD不活跃的高读取数据有效
13
0
最大
（ LR + AR ） - 13.5
AR - 13
(1)
(1)
单位
ns
ns
ns
ns
LR =提前期，读取权限。 AR =活跃的时期，读访问。看
表6-35 。
表6-42 。同步XREADY时序要求（就绪-上阅读，1个等待状态）
(1)
民
t
SU（ XRDYsynchL ） XCOHL
t
H（ XRDYsynchL ）
t
SU（ XRDYsynchH ） XCOHL
t
H（ XRDYsynchH ） XZCSH
(1)
建立时间， XREADY （同步）低XCLKOUT前高/低
保持时间， XREADY （同步）低
建立时间， XREADY （同步）前高XCLKOUT高/低
保持时间， XREADY （同步）举高后带芯片选择高
8
1t
C（ XTIM ）
8
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
第一个XREADY （同步）的样品出现就到E的
图6-24 ：
E = （ XRDLEAD + XRDACTIVE ）T
C（ XTIM ）
当第一次采样时，如果XREADY （同步）被发现是高，那么接入将结束。如果XREADY （同步）被发现是
低，它再次被取样各t
C（ XTIM ）
直到它被认为是高的。
对于每个样品（n）的设置时间（F）相对于所述接入的开始可以被计算为：
F = （ XRDLEAD + XRDACTIVE + N
1) t
C（ XTIM ）
t
SU（ XRDYsynchL ） XCOHL
其中， n为样本数： n = 1时，2，3 ，依此类推。
表6-43 。异步XREADY时序要求（就绪-上阅读，1个等待状态）
民
t
SU（ XRDYasynchL ） XCOHL
t
H（ XRDYasynchL ）
t
SU（ XRDYasynchH ） XCOHL
t
H（ XRDYasynchH ） XZCSH
建立时间， XREADY （异步）前低XCLKOUT高/低
保持时间， XREADY （异步）低
建立时间， XREADY （异步）高前XCLKOUT高/低
保持时间， XREADY （异步）举高后带芯片选择高
8
1t
C（ XTIM ）
8
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
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电气规格
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