2SC4689
I
C
– V
CE
10
共发射极
8
500
300
200
150
100
6
70
4
50
30
2
20
IB = 10毫安
0
0
0
2
4
6
8
10
0
0
0.4
0.8
TC = 25°C
8
I
C
– V
BE
共发射极
VCE = 5 V
I
C
(A)
I
C
(A)
集电极电流
6
集电极电流
4
TC = 100℃
25
25
2
1.2
1.6
2.0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
1000
500
共发射极
VCE = 5 V
TC = 100℃
100
50
30
25
25
1
共发射极
0.5 I /I = 10
C B
0.3
V
CE （SAT）
– I
C
h
FE
300
直流电流增益
TC = 100℃
0.1
0.05
0.03
25
25
10
5
0.01
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
30
集成电路最大值（脉冲） *
10
IC MAX（连续）
100毫秒*
1毫秒*
10毫秒*
f
T
– I
C
200
I
C
(A)
（兆赫）
共发射极
100
50
30
VCE = 5 V
TC = 25°C
5
3
直流操作
（ TC = 25 ° C）
跃迁频率
集电极电流
f
T
1
0.5
0.3
10
5
3
* ：单非重复脉冲
TC = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
VCEO
最大
30
100
200
1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.1
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
3
2004-07-07
