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2SC458 ( LG ) , 2SC2310
电气特性
( TA = 25°C )
2SC458 ( LG)
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
30
30
5
100
典型值
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
0.5
0.5
500
0.2
0.75
3.5
5
2SC2310
55
50
5
100
典型值
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
0.5
0.5
320
0.2
0.75
3.5
5
S
V
V
兆赫
pF
dB
k
×
10
–6
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
V
CB
= 18 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 0.1毫安,
F = 120赫兹,R
g
= 500
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1毫安,
F = 270赫兹
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
小信号输入
阻抗
小信号电压
反馈率
小信号电流
传输比
小信号输出
导纳
注意:
B
2SC458 ( LG)的100至200
2SC2310
100至200
COB
NF
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1. 2SC458 (LG)和2SC2310被用h分组
FE
如下。
C
160到320
160到320
D
250至500

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