INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
在额定电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
在额定电压
I
C
= 7.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1毫安; V
CE
=5V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=10V
10
5
20
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 7.5A ;我
B
=1.5A
I
C
= 7.5A ;我
B
=1.5A
民
450
典型值。
2SC4059
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
0.1
mA
0.1
mA
兆赫
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7.5A
I
B1
= 1.5A ;我
B2
=3.0A
V
BB2
= 4V ，R
L
=20Ω
0.5
2.0
0.2
μs
μs
μs
2
