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TSAL5300
高功率红外发光二极管，
威世半导体
940纳米，砷化镓铝/砷化镓
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
1
I
F
- 正向电流（ A）
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
1000
I
FSM
= 1 A（单脉冲）
t
p
/T = 0.01
10
0
0.05
0.1
0.5
1.0
10
-1
10
-2
100
10
1
96 11987
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
2
13602
0.1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
10
3
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
10
2
t
P
= 100
s
t
P
/T = 0.001
10
1
0.4
10
0
0
13600
1
2
3
4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
REL
- 相对辐射功率
e
1.25
100
1.0
0.75
10
0.5
1
0.25
I
F
= 100毫安
0
890
940
990
0.1
10
0
14327
10
1
10
2
10
3
10
4
14291
I
F
- 正向电流（mA ）
λ
-
波长
（纳米）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射功率与波长
文档编号： 81008
2.0版本， 29军， 09
如有技术问题，请联系：
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