INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC3563
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
450
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
600
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
1.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
1.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 500V ;我
E
= 0
100
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
1
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
20
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
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