TSHA6200 ， TSHA6201 ， TSHA6202 ， TSHA6203
威世半导体
红外发光二极管， 875纳米，
砷化镓铝
200
180
120
100
80
R
thJA
= 230 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21143
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 230 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21142
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 100毫安
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 20毫安
符号
V
F
TK
VF
I
R
C
j
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
r
t
f
t
f
d
20
- 0.7
± 12
875
80
0.2
600
300
600
300
3.7
分钟。
典型值。
1.5
- 1.6
100
马克斯。
1.8
单位
V
毫伏/ K
A
pF
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
mm
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2
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文档编号： 81021
修订版1.8 ， 25军， 09
