SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 960V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
10
民
800
1200
7
2SC3214
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
V
V
A
A
2
