TSM2N60
600V N沟道功率MOSFET
TO-220
TO-251
（ IPAK ）
TO-252
（ DPAK ）
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
产品概述
V
DS
(V)
600
R
DS （ ON）
( )
5 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
1
概述
该TSM2N60使用了先进的终止方案，以提供增强的电压阻断能力不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET被设计成能承受高的能量在
雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个漏源二极管用
快速恢复时间。专为高电压，电源供应器高速开关应用中，转换器
和PWM马达控制，这些设备特别适合井为电桥电路，其中二极管的速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供了对突发电压的额外安全保证金
瞬变。
特点
●
●
●
●
强大的高压端子
较高的雪崩能量
二极管电桥电路的特点是使用
源极到漏极二极管的恢复时间堪比
离散的快速恢复二极管。
框图
订购信息
产品型号
TSM2N60CP RO
TSM2N60CH C5
TSM2N60CZ C0
包
TO-252
TO-251
TO-220
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
75PCS /管
50PCS /管
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
A，B
连续源电流（二极管传导）
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
AS
= 2A ，L = 10MH ，R
G
=25 )
TO- 251 / TO- 252
o
最大功率耗散@ TC = 25℃
TO-220
工作结温
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
EAS
P
Dtot
T
J
T
J
, T
英镑
极限
600
±30
2
9
1
20
70
70
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
o
C
o
C
1/8
版本： E11
