SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SC1654
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
高电压V
首席执行官：
160V
+0.1
1.3
-0.1
高直流电流gain.h
FE
= 130 （典型值） （V
CE
=3.0V,I
C
=15mA)
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
等级
180
160
5
50
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
输出电容
Transiston频率
*脉冲测试： TP
350 ;
0.02.
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 130V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 3V ，我
C
= 15毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 1毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
C
ob
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 10V ，我
E
= -10mA
90
70
200
180
0.1
0.73
2.3
120
0.3
1.0
V
V
pF
兆赫
民
典型值
最大
0.1
0.1
400
单位
A
A
h
FE
分类
记号
的hFE
90
N5
180
N6
135
270
N7
200
400
0-0.1
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